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2008年台湾半导体产业表现将优于全球

发布时间:2020-07-21 19:15:24 阅读: 来源:聚氨酯保温管厂家

拓墣产业研究所(Topology Research Institute)发表全球半导体产业调查报告指出,预估2008年全球半导体总产值将达2,752亿美元,年成长率将由2007年的2.87%大幅攀升至2008年的8%。而在全球半导体库存有效去化、IDM大厂提升外包比率及北京奥运商机的催化下,2008年台湾IC产值可达新台币1兆7,000亿,年成长率18.9%,远优于全球IC产业表现。 在半导体产业库存逐步调整之际,加上主要IDM大厂纷纷转型为FAB-Lite或FAB-less,预期将带动IC产业Out-sourcing风潮;由于全球名列前茅的晶圆代工厂及封测厂商都在台湾,预期台湾将是这一波Out-sourcing需求下最大受惠者。 此外,北京奥运带来消费性及通讯产品需求,如DTV/HDTV、DSC、MP3、GPS、3G手机及行动电视,也为台湾IC产业带来庞大商机,因此拓墣认为2008年台湾整体IC产业成长动能将优于全球。预估2008年台湾IC设计产值为4,324亿新台币,IC制造产值为9,023亿新台币,IC封测产值为3,863亿,而YoY分别为12%、22%及20%,IC整体产值为17,210亿新台币,YoY 18.9%。 针对未来高效能与节能需求,半导体产业将朝向「高度系统整合」与「制程微缩」两大技术趋势发展。「高度系统整合技术」如SoC、SiP及3D IC,除可缩小终端系统产品体积,耗电、效能、成本表现也较传统制程为优。 「制程微缩」可提升效能与节能并降低IC价格,例如45nm制程将较前一世代65nm制程提升40%的效能,同时功耗降低10~20%;低功耗制程部份,45nm的静态(static)功耗和65nm制程相比,降低幅度则高达50%;而FD SOI (全空乏绝缘层覆硅)制程功耗也将较Bulk CMOS制程降低40%。

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